近日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新公布的全球晶圓廠預(yù)測報告（World Fab Forecast）顯示，隨著芯片需求不斷上升，將帶動全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)成長，預(yù)計2024年全球晶圓廠總產(chǎn)能將同比增長6%，2025年將同比增長7%，屆時將達(dá)到每月3370萬片8英寸晶圓約當(dāng)量的歷史新高。

從工藝節(jié)點來看，預(yù)計 5nm 及以下尖端制程工藝節(jié)點的產(chǎn)能將會在 2024 年同比增長 13%，這主要是由于數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備的生成人工智能 (AI) 推動。為了提高處理能力效率，包括英特爾、三星和臺積電在內(nèi)的芯片制造商準(zhǔn)備開始生產(chǎn) 2nm 全柵極 (GAA) 芯片，預(yù)計到 2025 年，5nm 及以下尖端制程工藝節(jié)點的的產(chǎn)能同比增長率將達(dá)到 17%。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“從云計算到邊緣設(shè)備，人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發(fā)競爭，并推動全球半導(dǎo)體制造能力的強(qiáng)勁擴(kuò)張。這形成了一個良性循環(huán)：人工智能將推動各種應(yīng)用中半導(dǎo)體內(nèi)容的增長，進(jìn)而鼓勵進(jìn)一步的投資。”

從各地區(qū)產(chǎn)能擴(kuò)張情況來看，預(yù)計中國芯片制造商將繼續(xù)保持同比兩位數(shù)百分比的產(chǎn)能增長，預(yù)計到2024 年的產(chǎn)能將同比增長15%，達(dá)到每月885萬片8英寸晶圓約當(dāng)量；2025 年將同比增長 14%，達(dá)到每月1010 萬片8英寸晶圓約當(dāng)量，占行業(yè)總量的近三分之一。盡管未來中國大陸存在產(chǎn)能過剩的潛在風(fēng)險，但該地區(qū)仍在積極投資產(chǎn)能擴(kuò)張，部分原因是為了減輕美國出口管制的影響。華虹集團(tuán)、晶圓代工、芯恩集成和中芯國際以及 DRAM 制造商長鑫存儲等主要晶圓制造商正在大力投資，以提高該地區(qū)的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能。

預(yù)計到 2025 年，其他大多數(shù)主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長率將不超過 5%。預(yù)計 2025 年中國臺灣的晶圓制造產(chǎn)能將以每月580萬片8英寸晶圓的約當(dāng)量排名第二；韓國預(yù)計將在2025年位居第三，產(chǎn)能將由 2024年的首次超過每月500萬片約當(dāng)8英寸晶圓之后，2025年將同比增長7%至每月540萬8英寸晶圓約當(dāng)量。預(yù)計日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能將分別增長至每月470萬片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長 3%）、每月320 萬約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長 5%）、每月270 萬 片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長 4%）和 每月180萬片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長 4%）。

從業(yè)務(wù)類型來看，受英特爾建立代工業(yè)務(wù)和中國晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)張的推動，預(yù)計2024年全球晶圓代工產(chǎn)能將同比增長11%，預(yù)計到2025年將繼續(xù)同比增加 10%，到 2026 年之時將達(dá)到每月1270萬片8英寸晶圓約當(dāng)量 。

為了滿足 AI 服務(wù)器對更快處理器日益增長的需求，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的快速采用正在推動存儲領(lǐng)域前所未有的容量增長。AI 的爆炸式增長推動了對更密集 HBM 堆棧的需求不斷增長，每個堆?，F(xiàn)在集成了 8 到 12 個芯片。作為回應(yīng)，領(lǐng)先的 DRAM 制造商正在增加對 HBM/DRAM 的投資。DRAM 容量預(yù)計在 2024 年和 2025 年都將同比增長 9%。相比之下，3D NAND Flash市場復(fù)蘇仍然緩慢，預(yù)計 2024 年整體容量不會增長，2025 年預(yù)計將同比增長 5%。

隨著邊緣設(shè)備中 AI 應(yīng)用的興起，預(yù)計主流智能手機(jī)的 DRAM 容量將從 8GB 增加到 12GB，同樣擁有生成式AI加持的筆記本電腦也將至少需要 16GB 的 DRAM?？梢哉f，隨著AI 向邊緣設(shè)備的擴(kuò)展，也將刺激對 DRAM 的需求。