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三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)

發(fā)布日期：2024-05-23

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5月22日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星將在2024年下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)3nm Exynos處理器，命名為Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載。

資料顯示，去年臺(tái)積電率先量產(chǎn)商用3nm制程，由蘋(píng)果A17 Pro、M4首批搭載。

時(shí)隔一年時(shí)間，高通、聯(lián)發(fā)科也將擁抱3nm制程，今年下半年，高通驍龍8 Gen4、聯(lián)發(fā)科天璣9400等都將切入臺(tái)積電3nm工藝。

現(xiàn)在三星即將推出3nm芯片Exynos 2500，在3nm制程上，三星率先應(yīng)用了全環(huán)繞柵極工藝（GAA，全稱Gate-All-AroundT），打破了FinFET技術(shù)的性能限制。

具體而言，三星3nm GAA工藝通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比，同時(shí)通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。

與5nm制程相比，三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。

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