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638 次4月20日消息，數(shù)碼閑聊站透露，高通驍龍8 Gen4將首次采用臺(tái)積電3nm工藝，這意味著安卓陣營(yíng)正式邁入3nm時(shí)代。
早在去年，蘋(píng)果率先切入3nm工藝，首顆3nm芯片是A17 Pro，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首發(fā)搭載。
據(jù)悉，臺(tái)積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，A17 Pro使用的便是N3B。
今年10月份登場(chǎng)的驍龍8 Gen4將會(huì)采用臺(tái)積電第二代3nm工藝N3E，N3E是N3B的增強(qiáng)版，其功耗表現(xiàn)優(yōu)于N3B工藝，并且良率更高、成本也相對(duì)較低。
另外，高通驍龍8 Gen4將會(huì)啟用自研的Nuvia架構(gòu)，不再使用Arm公版架構(gòu)方案，這將是高通驍龍5G SoC史上的一次重大變化。
數(shù)碼閑聊站透露，目前高通驍龍8 Gen4性能極強(qiáng)，但是因?yàn)轭l率設(shè)定過(guò)高，功耗表現(xiàn)一般，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)頻率會(huì)降低。
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發(fā)布日期: 2025-02-05
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